Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (16) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Molodkin V$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Olikhovskii S. X-Ray Diffraction Characterization of Nanoscale Strains and Defects in Yttrium Iron Garnet Films Implanted with Fluorine Ions [Електронний ресурс] / S. Olikhovskii, O. Skakunova, V. Molodkin, V. Lizunov, Ye. Kyslovs'kyy, T. Vladimirova, O. Reshetnyk, V. Pylypiv, V. Kotsyubynsky, B. Ostafiychuk // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2014. - Vol. 3, no. 1. - С. 01PCSI10-01PCSI10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2014_3_1_12 | ||
| 2. | 
Molodkin V. B. Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon [Електронний ресурс] / V. B. Molodkin, S. I. Olikhovskii, Ye. M. Kyslovskyy, E. G. Len, O. V. Reshetnyk, T. P. Vladimirova, V. V. Lizunov, S. V. Lizunova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 353-356. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_6 The generalized dynamical theory of X-ray scattering by real single crystals allows to self-consistently describe intensities of coherent and diffuse scattering measured by double- and triple-crystal diffractometers (DCD and TCD) from single crystals with defects in crystal bulk and with strained subsurface layers. Being based on this theory, we offer the combined DCD + TCD method that exhibits the higher sensitivity to defect structures with wide size distributions as compared with any of these methods alone. In the investigated Czochralski-grown silicon crystals, the sizes and concentrations of small oxygen precipitates as well as small and large dislocation loops have been determined using this method. | ||
| 3. |
Vladimirova T. P. Transformations of microdefect structure in silicon crystals under the influence of weak magnetic field [Електронний ресурс] / T. P. Vladimirova, Ye. M. Kyslovs`kyy, V. B. Molodkin, S. I. Olikhovskii, O. V. Koplak, E. V. Kochelab // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 470-477. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_20 Quantitative characterization of complex microdefect structures in annealed silicon crystals (1150 <$E symbol Р>C, 40 h) and their transformations after exposing for one day in a weak magnetic field (1 T) has been performed by analyzing the rocking curves, which have been measured by a high-resolution double-crystal X-ray diffractometer. Based on the characterization results, which have been obtained by using the formulas of the dynamical theory of X-ray diffraction by imperfect crystals with randomly distributed microdefects of several types, the concentrations and average sizes of oxygen precipitates and dislocation loops after imposing the magnetic field and their dependences on time after its removing have been determined. | ||
| 4. | 
Brovchuk S. M. Models of Deformation Dependences of Total Integrated Intensity of Dynamical Diffraction in Single Crystals for Various Diffraction Conditions [Електронний ресурс] / S. M. Brovchuk, V. B. Molodkin, A. I. Nizkova, I. I. Rudnytska, G. L. Grankina, V. V. Lizunov, S. V. Lizunova, B. V. Sheludchenko, E. S. Skakunova, S. V. Dmitriev // Металлофизика и новейшие технологии. - 2014. - Т. 36, № 8. - С. 1035-1048. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2014_36_8_7 С помощью теории Чуховского - Петрашеня для деформационной зависимости (ДЗ) интегральной интенсивности динамической дифракции (ИИДД) в кристаллах без дефектов показан характер изменения ДЗ ИИДД с толщиной кристаллов и с вариацией других условий дифракции. На этой основе, а также при использовании ряда экспериментов с реальными дефектными кристаллами и результатов теории полной интегральной интенсивности динамической дифракции (ПИИДД) в кристаллах с дефектами без изгиба построена аналитическая модель ДЗ ПИИДД в кристаллах с дефектами, пригодная для диагностики параметров структурных дефектов в кристаллах. Полученные эвристически выражения для ДЗ ПИИДД в кристаллах с дефектами учитывают ДЗ поглощательных и отражательных способностей кристаллов, вклад которых определяется параметрами модели (<$Ealpha ,~beta ,~gamma ,~...>) как для брэгговской, так и для диффузной составляющих ПИИДД. Установлено, что достаточно точное описание ДЗ достигается с фиксированными параметрами и единого вида выражениями только в определенных узких диапазонах радиусов деформации. Однако эти параметры оказываются избирательно зависящими от каждого набора характеристик условий дифракции (длины волны, толщины кристаллов, индексов отражения, геометрии дифракции и др.). Показано, что эвристически построить модель ДЗ ПИИДД в кристаллах с дефектами как диагностический метод оказалось возможным только благодаря тому, что удалось факторизовать влияние микродефектов и параметра деформации отдельно на когерентную и на диффузную составляющие ПИИДД, но уберечь нефакторизованность их влияния на суммарную интенсивность ИИДД. | ||
| 5. |
Molodkin V. B. Quantum-Mechanical Model of Interconsistent Amplitude and Dispersion Influences of Structure Imperfections on the Multiple Scattering Pattern for Mapping and Characterization of Strains and Defects in Ion-Implanted Garnet Films [Електронний ресурс] / V. B. Molodkin, S. I. Olikhovskii, E. S. Skakunova, E. G. Len, E. N. Kislovskii, O. V. Reshetnyk, T. P. Vladimirova, V. V. Lizunov, L. N. Skapa, S. V. Lizunova // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - Т. 37, № 8. - С. 1017-1026. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2015_37_8_4 Численное моделирование карт обратного пространства для ионно-имплантированных монокристаллических железо-иттриевых пленок феррит-гранатов на подложках из гадолиний-галлиевого граната осуществлено на основе теоретической модели трехосной динамической дифрактометрии для многослойных кристаллических систем с неоднородными распределениями деформации и случайно распределенными дефектами. В этой модели амплитудный и дисперсионный механизмы влияния несовершенств структуры соответственно на дифракцию или на преломление, поглощение и экстинкцию излучений в интенсивности когерентного и диффузного рассеяния взаимосогласованно учитывались для всех слоев системы с помощью полученных рекуррентных соотношений между амплитудами когерентного рассеяния. В предлагаемой модели многослойных систем учтено наличие ростовых дефектов, как в пленке, так и в подложке, а также радиационных дефектов в приповерхностном слое нанометровой толщины, образованных после имплантации ионов с энергией 90 кэВ. С использованием упомянутой модели также обрабатывались кривые качания исходного и ионно-имплантированного образцов для реалистичного определения параметров профилей деформации и структурных характеристик дефектов в подложках и имплантированных пленках с целью численной реконструкции картин динамической дифракции от монокристаллических многослойных образцов. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |